收藏本站
型号 SI7635DP-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI7635DP-T1-GE3 PDF
代理商 SI7635DP-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 40A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4.9 毫欧 @ 26A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 143nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4595pF @ 10V
功率 - 最大 54W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8
包装 标准包装
其它名称 SI7635DP-T1-GE3DKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI7635DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI7635DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI7636DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 17A PPAK 8SOIC
SI7636DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 17A PPAK 8SOIC
SI7636DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 17A PPAK 8SOIC
SI7636DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212
SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212
SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212
SI7658ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC
SI7658ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC
SI7658ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC
SI7661CJ+ Maxim Integrated Products IC REG SWITCHED CAP INV ADJ 8DIP
SI7661CSA+ Maxim Integrated Products IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8SOIC
SI7661CSA+T Maxim Integrated Products IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8SOIC
SI7661DJ Maxim Integrated Products IC REG SWITCHED CAP INV ADJ 8DIP
SI7661ESA+ Maxim Integrated Products IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8SOIC
SI7661ESA+T Maxim Integrated Products IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8SOIC
SI7664DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC